要闻！黄仁勋寄语毕业生：找到一门技艺，用一生去完善、磨炼！

黄仁勋寄语毕业生：找到一门技艺，用一生去完善、磨炼！

硅谷，2024年6月18日 – 全球领先的芯片制造商英伟达（NVIDIA）的创始人兼首席执行官黄仁勋先生，近日在母校台湾国立交通大学的毕业典礼上发表演讲，向毕业生们分享了自己的成功经验和人生感悟。他寄语毕业生们：找到一门技艺，用一生去完善、磨炼！

黄仁勋先生在演讲中回顾了自己从台湾到美国的求学和创业经历。他强调，成功并非偶然，而是源于对所选技艺的执着追求和持之以恒的努力。 他鼓励毕业生们要选择自己热爱并擅长的领域，并专注于其中，不断学习和实践，精益求精。

“当你找到自己的技艺时，你就会找到人生的意义和价值。” 黄仁勋先生以自身经历为例，讲述了他如何从一个对电子产品充满好奇心的少年，成长为全球科技行业的领袖人物。他表示，正是他对图形技术的热爱和执着追求，才让他能够克服重重困难，取得今天的成就。

“找到技艺，只是万里长征的第一步。更重要的是，要用一生去完善、磨炼它。” 黄仁勋先生指出，科技发展日新月异，唯有不断学习和创新，才能跟上时代的步伐。 他鼓励毕业生们要保持终身学习的态度，不断提升自己的知识和技能，在竞争激烈的市场中立于不败之地。

“人生就像一场马拉松，只有坚持不懈才能跑赢全程。” 黄仁勋先生最后寄语毕业生们，要保持乐观自信的态度，勇于挑战困难，不畏挫折。 他相信，只要矢志不渝地追求自己的梦想，每个人都能在人生的舞台上绽放光芒。

黄仁勋先生的演讲，在现场毕业生和观众中引起了热烈反响。许多学生表示，黄仁勋先生的分享对他们的人生规划和职业发展产生了重要启示。

黄仁勋先生的建议，不仅适用于即将步入社会的毕业生，也适用于所有在人生道路上不断前行的奋斗者。找到一门技艺，并用一生去完善、磨炼它，是通往成功的必经之路。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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